）的设计是用于直接替代静态随机存储器（SRAM），即使内部存储器的操作并非静态。商业化的两种伪静态存储器分别是伪静态随机存储器（PSRAM）及铁电随机存储器（FRAM）。PSRAM针对慢速SRAM应用；当纯粹计算每个位的成本时具有竞争优势。F-RAM针对电池后备SRAM（即BBSRAM）应用，在系统成本及产品供应方面具有竞争力。F-RAM还有一个目标用途是用于非易失性数据获得，在这种应用中可以提供卓越的性能。
JSC济州半导体致力于PSRAM芯片领域，并成为了全球半导体PSRAM存储芯片领域解决方案供应商之一。
由于济州半导体出道到SRAM（静态随机存取存储器）和4M SRAM的2001市场，济州半导体持续实施全系列低功耗SRAM产品通过1M、2M、4M至8M SRAM，也包括
至64M的PSRAM存储芯片产品，产品线主要是由SRAM芯片、PSRAM芯片、NAND FLASH组成。
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