毕竟连苹果都想要采购中国的内存了，那证明中国内存，在品质上，在技术上都达到了苹果的要求，而苹果的要求是全球最严格的，一旦被苹果看中，意味着什么大家都懂的。
不过说实话，虽然国产内存确实是崛起了，但真要论技术，与三星、美光等顶级厂商相比，还是落后1-2代的。
目前从大版本来看，长鑫稳定是量产了DDR5、LPDDR5X等，似乎追上了三星们，毕竟三星们也只是稳定量产DDR5。
三星的工艺路径是1x→1y→1z→1a→1b→1c，目前进入了1c工艺，也就是11-12nm的水平，而美光、SK海力士与三星是差不多同进度的。
长鑫呢，因为没有EUV光刻机，是基于DUV光刻机的，再加上美国对先进设备的封测，较难进入14nm及以下的工艺。
所以目前的主要是G3（等效 1y/1z，17nm），目前实现了G4（等效 1z，16nm），但产能还在爬坡中，预计今年会量产G5（1a,15nm)，也就是15nm，所以从1a到1c，中间隔了两代。
再看HBM这一块，这一种芯片，其实是一种堆叠式的DRMA，它通过3D堆栈工艺和硅通孔（TSV）技术垂直堆叠多个DRAM芯片，比DDR技术难度更高，更考虑工艺水平。
目前三星已经量产了HBM4，像美光、SK海力士们，也达到了HBM4的水平。
但是长鑫，因为只有G4，也就是16nm的工艺，所以目前还处于HBM2的水平，也是落后2代左右。
当然，目前有了韬定律，接下来也许能够利用 3D DRAM 架构突破，就算没有EUV，也能实现等效14nm或以下工艺，这样缩小与三星们的差距。
但实话实说，就目前来看，国产内存与三星们相比，在技术上还是落后1-2代的，还需要持续的努力才行，还有很大的提升空间，并不是真的全面追上了。返回搜狐，查看更多
